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词汇 “GD”是“Gate to Drain”的缩写，意思是“闸门排水”
类别 英文缩写翻译大全
释义
    英语缩略词“GD”经常作为“Gate to Drain”的缩写来使用，中文表示：“闸门排水”。本文将详细介绍英语缩写词GD所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词GD的分类、应用领域及相关应用示例等。
    “GD”（“闸门排水）释义
  • 英文缩写词：GD
  • 英文单词：Gate to Drain
  • 缩写词中文简要解释：闸门排水
  • 中文拼音：zhá mén pái shuǐ
  • 缩写词流行度：368
  • 缩写词分类：Academic & Science
  • 缩写词领域：Electronics

    以上为Gate to Drain英文缩略词GD的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
     英文缩略词GD的扩展资料
  1. The saturation drain current at each gate bias decreased while the gate to drain breakdown voltage increased remarkably with the ( NH 4 ) 2S x treatment.
        处理后，器件各栅偏压下的源漏饱和电流降低了，栅漏击穿电压有了显著提高。
  2. The asymmetry isolation layer between the source / drain electrodes and the gate used in the experiment results in asymmetric mod-ulation of gate electrostatic field to source electrode and drain electrode. Therefore solo gate electrostatic field modulation to the drain electrode is realized.
        实验中采用了源/漏电极不对称的绝缘层结构，使得门电压对源漏两极的电场调制也不对称，从而实现了对漏电极的门电压调制。
  3. It may be concluded that DC transfer characteristics of high temperature CMOS inverter and gate circuits deteriorate due to reductions in carrier mobility and threshold voltages of MOSFETs and increase of leakage current of MOSFET's drain terminal pn junc-tion at high temperature.
        根据分析，高温MOSFET阈值电压和载流子迁移率的降低，以及MOSFET漏端pn结泄漏电流的增加引起了CMOS倒相器和门电路直流传输特性劣化。

    上述内容是“Gate to Drain”作为“GD”的缩写，解释为“闸门排水”时的信息，以及英语缩略词GD所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
    
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